变频器的主电路跟电容充电方式分析

来源:Autrou.com    作者:奥创电子   日期:2021-09-27

变频器主回路电容充电方式,一般是在整流和电容储能回路之间串入充电限流电阻和充电接触器(继电器),对电容充电过程的控制是这样的:

变频器上电后,先由充电对电容进行限流充电,抑制了最大充电电流,随着充电过程的延伸,电容上逐渐建立起充电电压,其电压幅值达到530V的80%左右时,出现两种方式的控制过程,一为变频器的开关电源电路起振,由开关电源的24V输出直接驱动充电继电器,或由此继电器,接通充电接触器的线圈供电回路,充电接触器(继电器)闭合,当充电限流电阻短接,变频器进入待机工作状态。电容器上建立一定电压后,其充电电流幅度大为降低,充电接触器的闭合/切换电流并不是太大,此后储能电容回路与逆变电路的供电,由闭合的接触器触点供给,充电电阻被接触器常开触点所短接。二是随着电容上充电电压的建立,开关电源起振工作,CPU检测到由直流回路电压检检测电路送来电压幅度信号,判断储能电容的充电过程已经完毕,输出一个充电接触器动作指令,充电接触器得电闭合,电容上电充电过程结

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个别品牌的变频器及大功率变频器,整流电路常采用三相半控桥的电路方式,即三相整流桥的下三臂为整流二极管,而上三臂采用三只单向可控硅,用可控硅这种“无触点开关”,代替了充电接触器。节省了安装空间,提高了电路的可靠性。

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虽然省掉了充电接触器,但工作原理还是一样的,只不过控制电路有所差异。变频器上电期间,先由D10D6整流,R限流为C1、C2充电,在充电过程接近结束时,CPU输出SCR1COSCR3三只可控硅的开通指令,控制电路强制三只可控硅导通,由D1、D2、D3、R构成的上电预充电回路使用作用,SCR1CSCR3与D4、D5、D6构成三相整流桥,此时可控硅处于全导通状态下,等效于整流二极管。

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